專業(yè)分銷BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件,BASiC SiC MOSFET,BASiC SiC JBS碳化硅二極管,BASiC SiC碳化硅模塊,BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本半導(dǎo)體單管IGBT,BASiC基本半導(dǎo)體IGBT模塊,BASiC基本半導(dǎo)體三電平IGBT模塊,BASiC基本半導(dǎo)體I型三電平IGBT模塊,BASiC基本半導(dǎo)體T型三電平IGBT模塊,BASiC 混合IGBT單管,BASiC 混合IGBT模塊,BASiC 三電平IGBT模塊。BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT單管,BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT模塊適合應(yīng)用于雙向AC-DC電源,能量的雙向流通的雙向 LLC 諧振變換器,變換效率高,儲能變流器碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導(dǎo)體混合IGBT模塊被廣泛應(yīng)用于新能源領(lǐng)域,醫(yī)療電源,X射線高壓電源,大功率高頻高速變頻器,BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT單管,BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT模塊使用于雙向DC/DC變換器為雙向非隔離型直流變換器,實現(xiàn)直流升壓降壓轉(zhuǎn)換,儲能PCS-Buck-Boost電路,高壓側(cè)接入PV直流側(cè),三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓?fù)洌蛪簜?cè)接電池組。
基本半導(dǎo)體全碳化硅MOSFET模塊,F(xiàn)ull SiC Module,SiC MOSFET模塊適用于超級充電樁,V2G充電樁,高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC),空調(diào)熱泵驅(qū)動,機(jī)車輔助電源,儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機(jī),超高頻伺服驅(qū)動器,高速電機(jī)變頻器,MRI醫(yī)療電源等. 光伏逆變器專用對稱拓?fù)浜惋w跨電容拓?fù)渲绷魃龎耗KBOOST Module-光伏MPPT,PV Inverter交流雙拼 ANPC 拓?fù)淠孀兡K。
汽車級全碳化硅功率模塊是基本半導(dǎo)體為新能源汽車主逆變器應(yīng)用需求而研發(fā)推出的系列功率模塊產(chǎn)品,包括半橋MOSFET模塊Pcore™2、三相全橋MOSFET模塊Pcore™6、塑封單面散熱半橋MOSFET模塊Pcell™等,采用銀燒結(jié)技術(shù)等基本半導(dǎo)體最新的碳化硅 MOSFET 設(shè)計生產(chǎn)工藝,綜合性能達(dá)到國際先進(jìn)水平,通過提升動力系統(tǒng)逆變器的轉(zhuǎn)換效率,進(jìn)而提高新能源汽車的能源效率和續(xù)航里程。高功率密度,高可靠性,高工作結(jié)溫,低熱阻,低雜散電感。
Pcore™2系列模塊BMF600R12MCC4,BMF400R12MCC4具有低開關(guān)損耗、可高速開關(guān)、降低溫度依賴性、高可靠性(高于AQG-324參考標(biāo)準(zhǔn))等特點,結(jié)溫可達(dá)175℃,與傳統(tǒng)硅基模塊具有相同的封裝尺寸,可在一定程度上代替相同封裝的IGBT模塊,從而有效縮短產(chǎn)品開發(fā)周期,提高工作效率。
Pcore™6系列模塊BMS600R12HWC4,BMS400R12HWC4,BMS700R08HWC4,BMS450R08HWC4是一款非常緊湊的功率模塊,專為混合動力和電動汽車提升效率應(yīng)用而設(shè)計,使用氮化硅AMB絕緣基板、用于直接流體的銅基PinFin基板、多信號監(jiān)控的感應(yīng)端子(焊接、壓接兼容)設(shè)計,具有低損耗、高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻、高電流密度、高可靠性(高于AQG-324參考標(biāo)準(zhǔn))等特點。
Pcell™系列模塊BMF600R12PC4,BMF400R12PC4,BMF700R08PC4,BMF450R08PC4采用基本半導(dǎo)體設(shè)計的獨有封裝形式,采用銀燒結(jié)和DTS技術(shù),大大提升了模塊的功率密度,讓碳化硅材料特性得以充分發(fā)揮,使得產(chǎn)品具有高功率密度、低雜散電感(小于5nH)、高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻(小于2mΩ)、結(jié)溫高達(dá)175℃等特點,非常適合于高效、高功率密度應(yīng)用領(lǐng)域。
基本半導(dǎo)體混合SiC功率模塊 Hybrid SiC Module主要特點: 1.與普通IGBT模塊相比,混合SiC模塊可大幅降低FRD的開關(guān)損耗與 IGBT 的開通損耗,有助于電力電子設(shè)備的降低功率損耗。不同應(yīng)用條件下總損耗可以
降低20~40%。相對全SiC模塊,性價比更高。
2.可以顯著提高功率模塊開關(guān)頻率。因此有助于縮減輸出濾波電感電容等周邊元器件的規(guī)格成本,實現(xiàn)整機(jī)的小型化、在現(xiàn)有系統(tǒng)的不變的情況下,將普通IGBT模塊更換為混合SiC模塊實現(xiàn)更大的輸出功率。
3.多種電流及封裝規(guī)格,半橋結(jié)構(gòu)。EconoDUAL™ 3 Hybrid SiC Module:300A,450A,600A,800A 1200V 62mm STD 2in1 :300A,450A,600A,800A 1200V
典型應(yīng)用:測試電源-直流源,除塵電源,等離子切割,電源醫(yī)療電源CT, MRI,軌道交通輔助電源
LLC諧振變換器能實現(xiàn)全負(fù)載范圍內(nèi)開關(guān)管的零電壓開通(ZVS,Zero Voltage Switching),相比其他開關(guān)電源,其輸入輸出電壓調(diào)節(jié)范圍較寬,且具有高效率,低噪聲,高功率密度等諸多優(yōu)點.與傳統(tǒng)Si基功率器件相比,BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT單管,BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT模塊具有更加優(yōu)良的特性,更加適用于高頻高壓大功率場合.針對單相LLC諧振變換器在大電流大功率輸出應(yīng)用時的不足,采用三相交錯并聯(lián)的LLC諧振變換器拓?fù)洳⑵渑cBASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT單管,BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT模塊相結(jié)合提升功率密度.雙向LLC諧振變換器廣泛應(yīng)用于充電樁電源模塊,V2G電源模塊,電網(wǎng)儲能PCS,從調(diào)峰調(diào)頻到備電、價差套利,儲能將成為新型電力系統(tǒng)的穩(wěn)定器,雙向LLC諧振變換器電源模塊化助推儲能PCS業(yè)務(wù)發(fā)展。
BASiC基本半導(dǎo)體650V/1200V Hybrid IGBT 單管IGBT TO274-3和TO247-4 具備高速IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點,具備出色的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗,TO-247 4 引腳封裝具有一個額外的開爾文發(fā)射極連接。此 4 引腳也被稱為開爾文發(fā)射極端子,繞過柵極控制回路上的發(fā)射極引線電感,從而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的開關(guān)速度并降低開關(guān)能量。英飛凌單管IGBT國產(chǎn)代替主要規(guī)格有BGH50N65HF1,BGH50N65HS1典型應(yīng)用戶用光伏儲能機(jī)雙向Buck-Boost電路,單相光伏逆變器Heric電路 ,BGH50N65ZF1。BGH75N65HF1(IKW75N65RH5國產(chǎn)替代,IKW75N65ES5國產(chǎn)替代,,BGH75N65HS1典型應(yīng)用戶用光伏儲能機(jī)雙向Buck-Boost電路,單相光伏逆變器Heric電路 BGH75N65ZF1,BGH75N65HRA1維也納PFC電路,BGH40N120HF典型應(yīng)用光伏三相儲能機(jī)雙向Buck-Boost電路,T型三電平橫管,BGH75N120HS 典型應(yīng)用光伏三相儲能機(jī)雙向Buck-Boost電路,T型三電平橫管, (特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。其常見應(yīng)用包括:戶用光伏逆變器650V混合SiC IGBT單管,戶用光伏逆變器,組串光伏逆變器,戶用儲能逆變器,雙向變流器,雙向逆變器,車載充電機(jī)(OBC)、ESS儲能系統(tǒng)、PV inverter光伏逆變器、UPS不間斷電源系統(tǒng) (UPS),以及服務(wù)器和電信用開關(guān)電源 (SMPS) ,基本半導(dǎo)體混合碳化硅分立器件將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合,為硬開關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€兼顧品質(zhì)和性價比的方案。該器件將傳統(tǒng)的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封,在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT (硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二極管合封),使IGBT的開關(guān)損耗大幅降低,適用于車載電源充電機(jī)(OBC)、通信電源、高頻DC-DC電源轉(zhuǎn)換器、儲能等領(lǐng)域。
高效逆變器用 HERIC 電路和相關(guān)工藝可用于單相逆變器,該拓?fù)涫窃贖橋的橋臂兩端加上兩個反向的開關(guān)管進(jìn)行續(xù)流,以達(dá)到續(xù)流階段電網(wǎng)與光伏電池隔離的目的,尤其是在低功率范圍內(nèi)(如屋頂光伏系統(tǒng)),其基于傳統(tǒng)H4電路上在交流側(cè)加入旁路功能的第五、六開關(guān)。其有效隔離了零電平時候交流濾波電感L與寄生電容C之間的無功交換,提升系統(tǒng)效率,且降低寄生電容上的電壓高頻分量,消除漏電流,通過利用BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的開關(guān)損耗低特性,單相HERIC電路中,用單一器件BASiC基本半導(dǎo)體650V混合SiC-IGBT單管可以有效降低高頻管的損耗,顯著降低器件的工作結(jié)溫,提升系統(tǒng)效率,BASiC基本半導(dǎo)體650V混合SiC-IGBT單管繼承了經(jīng)典的TO247封裝,客戶可以在不變更PCB和電路情況下,對老的產(chǎn)品進(jìn)行直接替換,從而在最短時間內(nèi)達(dá)到系統(tǒng)效率的提升和增加開關(guān)頻率的目的。同時,由于器件帶來系統(tǒng)損耗減少的優(yōu)勢,可以降低散熱設(shè)計要求和成本;開關(guān)頻率提升可以有效降低并網(wǎng)電感的尺寸和大小,減少電流諧波對電網(wǎng)的污染。HERIC電路設(shè)計的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)高達(dá)99%超高轉(zhuǎn)化效率,同時將EMI保持在較低的水平。除了具有更高的能量輸出的優(yōu)點外,這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)還降低了部件的熱應(yīng)力,因而散熱器可以設(shè)計得更小,使用壽命卻更長。行業(yè)普遍認(rèn)為到目前為止,這是戶用光伏逆變器儲能變流器PCS設(shè)備中較好的設(shè)計。
BASiC基本半導(dǎo)體混合IGBT Hybrid Discrete搭載了為高頻開關(guān)優(yōu)化的IGBT晶圓以及650VBASiC基本SiC二極管,基本SiC二極管極小Qrr,有效降低對管IGBT開通損耗,且自身反向恢復(fù)損耗Erec也明顯降低,IGBT開通損耗隨溫度的影響很小,降低EMI,廣泛應(yīng)用于OBC車載充電器,光伏儲能逆變器,充電樁電源模塊,移動儲能逆變器功率因數(shù)校正(PFC)、DC-DC(直流-直流)和DC-AC(直流-交流)等。
BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M160120HC,B1M080120HC,B1M080120HK,B1M032120HC,B1M032120HK具備開關(guān)中的小柵極電荷和器件電容、反并聯(lián)二極管無反向恢復(fù)損耗、與溫度無關(guān)的低開關(guān)損耗,以及無閾值通態(tài)特性等。非常適合硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓?fù)?,如LLC和ZVS,廣泛應(yīng)用于OBC車載充電器,光伏儲能逆變器,充電樁電源模塊等,可以像IGBT或MOSFET一樣使用易于使用的驅(qū)動器進(jìn)行驅(qū)動。由于能在高開關(guān)頻率下帶來高效率,從而可以減小系統(tǒng)尺寸、增大功率密度,并確保高可靠性,延長使用壽命。
光伏逆變器升壓SiC碳化硅二極管B2D10120H1,B2D20120HC1,B2D20120H1,B2D30120HC1,B2D30120H1,B2D40120H1,B2D20065HC1,B2D20065H1,B2D30065H1,B2D40065H1,B2D02120E1,光伏逆變器SiC MOSFET,IGBT Hybrid Discrete,混合三電平SiC-IGBT模塊,IGBT單管,混合IGBT單管,SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模塊,SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊,混合SiC-IGBT模塊,BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管,分立碳化硅MOSFET,TO263-7碳化硅MOSFET,碳化硅(SiC)MOSFET,儲能逆變器SiC MOSFET,光伏逆變器SiC MOSFET,三電平IGBT模塊,光儲一體機(jī)混合IGBT器件
BASiC基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎(chǔ)上,實現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向?qū)▔航?。BASiC基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管繼承了一代和二代產(chǎn)品的優(yōu)點,采用JBS結(jié)構(gòu),優(yōu)化了N-外延層的摻雜濃度,減薄N+襯底層,使得二極管具有更低的正向?qū)▔航礦F和結(jié)電荷QC,可以降低應(yīng)用端的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。
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