①、三極管測(cè)試時(shí)一臺(tái)加在基極與發(fā)射極之間,一臺(tái)加在集電極與發(fā)射極之間;MOS管測(cè)試時(shí)一臺(tái)加在柵極與源極之間,一臺(tái)加在漏極與源極之間;需要使用兩臺(tái)直流源表同步觸發(fā)使用,或使用插卡式直流源表;
②、三極管的基極及MOS管的柵極一般耐壓值較低于30V,基于最高性價(jià)比考慮,其中一臺(tái)使用S100即可,另一臺(tái)根據(jù)三極管的集電極或MOS管的漏極耐壓而定,普賽斯儀表推出的功率器件靜態(tài)測(cè)試儀可精準(zhǔn)測(cè)量MOSFET、BJT、IGBT等的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性,uΩ級(jí)電阻,pA級(jí)電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容,輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì),方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊,適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。
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