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武漢普賽斯儀表有限公司

儀器儀表、電子產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售;電子技術(shù)服務(wù)

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IGBT|SiC功率半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備
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產(chǎn) 品: 瀏覽次數(shù):16IGBT|SiC功率半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備 
品 牌: 普賽斯儀表 
單 價(jià): 1000.00元/臺(tái) 
最小起訂量: 1 臺(tái) 
供貨總量: 10000 臺(tái)
發(fā)貨期限: 自買家付款之日起 30 天內(nèi)發(fā)貨
更新日期: 2024-12-18 08:56  有效期至:長(zhǎng)期有效
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詳細(xì)信息
 普賽斯IGBT|SiC功率半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備,集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級(jí)精確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。詳詢18140663476

 

 

靜態(tài)-片頭

IGBT測(cè)試系統(tǒng)圖

 

 

 

    普賽斯功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)配置由多種測(cè)量單元模塊組成,系統(tǒng)模塊化的設(shè)計(jì)能夠極大方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊,適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。

 

 

 

“雙高”系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)

 

    高電壓、大電流

 

    具有高電壓測(cè)量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(蕞大可擴(kuò)展至10kV)

 

    具有大電流測(cè)量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))

 

    高精度測(cè)量

 

    nA級(jí)漏電流, μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻

 

    0.1%精度測(cè)量

 

    模塊化配置

 

    可根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要靈活配置多種測(cè)量單元系統(tǒng)預(yù)留升級(jí)空間,后期可添加或升級(jí)測(cè)量單元

 

    測(cè)試效率高

 

    內(nèi)置專用開關(guān)矩陣,根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目自動(dòng)切換電路與測(cè)量單元

 

    支持國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測(cè)試

 

    擴(kuò)展性好

 

    支持常溫及高溫測(cè)試可靈活定制各種夾具


測(cè)試項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等


IGBT|SiC功率半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備就找普賽斯儀表咨詢,詳詢一八一四零六六三四七六;PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),是普賽斯儀表經(jīng)過精心設(shè)計(jì)與打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng)。該系統(tǒng)不僅具備IV、CV、跨導(dǎo)等多元化的測(cè)試功能,還擁有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)以及便捷的升級(jí)擴(kuò)展等顯著優(yōu)勢(shì)。它能夠全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試需求,確保測(cè)量效率、一致性與可靠性的卓越表現(xiàn)。
此外,普賽斯儀表功率半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試解決方案還支持交互式手動(dòng)操作或結(jié)合探針臺(tái)的自動(dòng)操作,能夠在整個(gè)表征過程中實(shí)現(xiàn)高效和可重復(fù)的器件表征。同時(shí),該方案還可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用,滿足高低溫測(cè)試需求。從pA級(jí)、mV級(jí)高精度源表到kA級(jí)、10kV源表,普賽斯的產(chǎn)品解決了國(guó)內(nèi)企業(yè)在半導(dǎo)體芯片以及第三代半導(dǎo)體芯片測(cè)試中的儀表國(guó)產(chǎn)化問題,并在客戶IGBT產(chǎn)線上推出了多條測(cè)試示范線,引領(lǐng)了國(guó)內(nèi)IGBT測(cè)試的技術(shù)潮流。


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