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公司基本資料信息
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靜態(tài)參數(shù)主要是指本身固有的,與其工作條件無關(guān)的相關(guān)參數(shù)。靜態(tài)參數(shù)測試又叫穩(wěn)態(tài)或者DC(直流)狀態(tài)測試,施加激勵(電壓/電流)到穩(wěn)定狀態(tài)后再進行的測試。主要包括:柵極開啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級間耐壓、源極漏級間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉(zhuǎn)移電容、輸出電容),以及以上參數(shù)的相關(guān)特性曲線的測試。
圍繞第三代寬禁帶半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試中的常見問題,如掃描模式對SiC MOSFET 閾值電壓漂移的影響、溫度及脈寬對SiC MOSFET 導(dǎo)通電阻的影響、等效電阻及等效電感對SiC MOSFET導(dǎo)通壓降測試的影響、線路等效電容對SiC MOSFET測試的影響等多個維度,針對測試中存在的測不準(zhǔn)、測不全、可靠性以及效率低的問題,普賽斯儀表提供一種基于國產(chǎn)化高精度數(shù)字源表(SMU)的測試方案,具有更優(yōu)的測試能力、更準(zhǔn)確的測量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測試能力。詳詢一八一四零六六三四七六
系統(tǒng)特點
高電壓:支持高達3.5KV高電壓測試(Z大擴展至10kV);
大電流:支持高達6KA大電流測試(多模塊并聯(lián));
高精度:支持uΩ級導(dǎo)通電阻、nA級漏電流測試;
豐富模板:內(nèi)置豐富的測試模板,方便用戶快速配置測試參數(shù);
配置導(dǎo)出:支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動測試功能;
數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出:支持圖形界面以及表格展示測試結(jié)果,亦可一鍵導(dǎo)出;
模塊化設(shè)計:內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計,可自由配置,方便維護;
可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運行溫度;
可定制開發(fā):可根據(jù)用戶測試場景定制化開發(fā);
系統(tǒng)參數(shù)
項目 |
參數(shù) |
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集電極-發(fā)射極 |
Z大電壓 |
3500V |
Z大電流 |
6000A |
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精度 |
0.10% |
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大電壓上升沿 |
典型值5ms |
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大電流上升沿 |
典型值15us |
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大電流脈寬 |
50us~500us |
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漏電流測試量程 |
1nA~100mA |
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柵極-發(fā)射極 |
Z大電壓 |
300V |
Z大電流 |
1A(直流)/10A(脈沖) |
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精度 |
0.05% |
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Z小電壓分辨率 |
30uV |
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Z小電流分辨率 |
10pA |
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電容測試 |
典型精度 |
0.5% |
頻率范圍 |
10Hz~1MHz |
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電容值范圍 |
0.01pF~9.9999F |
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溫控 |
范圍 |
25℃~150℃ |
精度 |
±1℃ |
測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等
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